報(bào)告名稱(chēng): 深度剖析HBM千億藍(lán)海，AI算力激戰(zhàn)下供需新格局

報(bào)告類(lèi)型: 行業(yè)報(bào)告

報(bào)告日期: 20250821

研究員: 唐泓翼,周安琪

行業(yè): 電子

投資評(píng)級(jí)：強(qiáng)于大市(維持)

【內(nèi)容摘要】

一、HBM復(fù)盤(pán)：打破AI算力傳統(tǒng)內(nèi)存墻瓶頸，3D堆疊DRAM的16年崛起之路
● HBM復(fù)盤(pán) ：從HBM1到HBM3E(容量1GB→36GB/帶寬128GB/s→1.2TB/s)，“內(nèi)存墻”的突破之路
二、HBM需求：CSP(云服務(wù)提供商)資本開(kāi)支撬動(dòng) AI 服務(wù)器放量+配置升級(jí)，推動(dòng)HBM需求高增
●一張圖拆解HBM需求：CSP(云服務(wù)提供商)資本開(kāi)支加碼，AI服務(wù)器量增&HBM配置升級(jí)，共推需求高增
● HBM市場(chǎng)爆發(fā)：AI服務(wù)器拉動(dòng)下，AI服務(wù)器拉動(dòng)下，預(yù)計(jì)25年/26年HBM總位元需求量同比增速分別達(dá)+89%/+67%
● HBM下游應(yīng)用場(chǎng)景：25年AI服務(wù)器出貨占比將升至15%以上，未來(lái)兩年AI服務(wù)器出貨量CAGR~17%
● HBM下游需求格局：2025年NVIDIA GPU消耗HBM超五成，預(yù)測(cè)2026年ASIC需求或同比激增50%以上
● HBM配置需求：英偉達(dá)主流GPU配置采用HBM3E，下一代Rubin架構(gòu)GPU或推高HBM4應(yīng)用顆數(shù)
三、HBM供給：原廠堅(jiān)定加速HBM產(chǎn)能擴(kuò)張節(jié)奏，產(chǎn)線代際升級(jí)勢(shì)在必行
●一張圖拆解HBM供給——原廠持續(xù)加速HBM擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏，HBM產(chǎn)線往更高端代際升級(jí)
● HBM廠商競(jìng)爭(zhēng)格局：SK海力士/三星/美光三家壟斷，25年/26年HBM市占率比例預(yù)計(jì)從5:3:2調(diào)整為5:2:3
● HBM代際競(jìng)爭(zhēng)格局：當(dāng)前主流HBM3E 25年占比有望超95%，預(yù)計(jì)HBM4代際將于26H2接棒市場(chǎng)主流
● HBM供給端產(chǎn)能： SK海力士&美光25年產(chǎn)能均售罄，預(yù)計(jì)25年/26年HBM總位元供給量同比+84%/+47%
● HBM產(chǎn)能展望：三大原廠發(fā)力積極擴(kuò)產(chǎn)，測(cè)算25年/26年原廠HBM TSV月產(chǎn)能或有望至39萬(wàn)片/48萬(wàn)片
四、HBM供需及價(jià)格研判：供給相對(duì)充足，需求高增與高端迭代催化價(jià)格上行
● HBM供需研判：測(cè)算2025-2026年HBM S/D Ratio將分別達(dá)45%/27%，供需差距缺口有望進(jìn)一步縮小
● HBM價(jià)格研判：預(yù)計(jì)25年/26年HBM ASP將達(dá)1.76/1.84美元/Gb，高端產(chǎn)品迭代助推未來(lái)價(jià)格上行
五、HBM未來(lái)演進(jìn)：HBM4 16Hi或26年落地，散熱/鍵合等技術(shù)升級(jí)適配未來(lái)需求
● HBM當(dāng)前進(jìn)展：2025年原廠HBM3E 12Hi已量產(chǎn)并成為主流，下一代HBM4 16Hi或有望26年實(shí)現(xiàn)
● HBM未來(lái)路線：HBM4→HBM8迭代，隨？I/O數(shù)/堆疊層數(shù)/單層容量升級(jí)向混合鍵合等技術(shù)演進(jìn)
六、AI 時(shí)代存儲(chǔ)趨勢(shì)：AI應(yīng)用落地推升存儲(chǔ)需求，NAND/DRAM價(jià)格或延續(xù)上漲
● DRAM行業(yè)供需跟蹤：預(yù)計(jì)2025年DRAM位元供需比達(dá)97.9%，價(jià)格有望上漲
● NAND Flash行業(yè)供需跟蹤：預(yù)計(jì)2025年NAND Flash位元供需比達(dá)98.3%，價(jià)格有望上漲
●行業(yè)下游需求：AI時(shí)代數(shù)據(jù)量激增，AI 手機(jī)/AI PC/AI服務(wù)器應(yīng)用落地推動(dòng)存儲(chǔ)需求提升
●行業(yè)價(jià)格展望：預(yù)估25Q3季度DRAM/NAND Flash合約價(jià)季漲幅分別為15~20%/5~10%，延續(xù)上漲態(tài)勢(shì)
七、投資建議及風(fēng)險(xiǎn)提示：
● HBM動(dòng)態(tài)：英偉達(dá)新一代Rubin Ultra平臺(tái)驅(qū)動(dòng)HBM4E需求，SK海力士宣布HBM4E和臺(tái)積電展開(kāi)合作
● AI大算力浪湖催生新動(dòng)能，芯片國(guó)產(chǎn)替代堅(jiān)定推進(jìn)，重點(diǎn)關(guān)注AI產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)公司及“龍頭低估”&“困境反轉(zhuǎn)”企業(yè)。
國(guó)產(chǎn)AI存力產(chǎn)業(yè)鏈：供給端減產(chǎn)及AI相關(guān)需求強(qiáng)勁，推動(dòng)存儲(chǔ)價(jià)格繼續(xù)上漲，TrendForce預(yù)計(jì)25Q3 DRAM合約價(jià)環(huán)比提升5%~10%，NAND合約價(jià)環(huán)比提升5%~10%。同時(shí)，國(guó)內(nèi)云計(jì)算與互聯(lián)網(wǎng)廠商資本開(kāi)支增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)不改，重點(diǎn)關(guān)注江波龍(大容量存儲(chǔ)龍頭)、瀾起科技(存儲(chǔ)接口芯片龍頭)、聯(lián)瑞新材(HBM關(guān)鍵填料)等。
●風(fēng)險(xiǎn)提示：AI落地需求低于預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；地緣政治風(fēng)險(xiǎn)；行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)；技術(shù)進(jìn)展不及預(yù)期等。
附錄一：HBM產(chǎn)業(yè)鏈
附錄二：中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)整裝待發(fā)